MOSFET SIHG30N60E-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SIHG30N60E-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格(人民幣)
SIHG30N60E-GE3 Vishay/Siliconix MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS 1446 1:¥49.20
10:¥39.68
100:¥35.88
250:¥31.95
SIHG30N60E-GE3 • PDF參數(shù)
類別: RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述: MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS
RoHS:
PDF參數(shù):
制造商 Vishay/Siliconix
晶體管極性 N-Channel
汲極/源極擊穿電壓 600 V
閘/源擊穿電壓
漏極連續(xù)電流 29 A
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通) 125 mOhms at 10 V
配置 Single
最大工作溫度 + 150 C
安裝風(fēng)格 Through Hole
封裝 / 箱體 TO-247AC-3
封裝 Tube