MOSFET SIR812DP-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SIR812DP-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格(人民幣)
SIR812DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix MOSFET 30V 60A 104W 1.45mohm @ 10V 可訂貨 1:￥12.42
10:￥9.73
100:￥8.76
250:￥7.66
3,000:￥4.55
6,000:￥0
SIR812DP-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述: MOSFET 30V 60A 104W 1.45mohm @ 10V
RoHS: 否
PDF參數(shù):
制造商 Vishay/Siliconix
晶體管極性 N-Channel
汲極/源極擊穿電壓 30 V
閘/源擊穿電壓
漏極連續(xù)電流 60 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通） 0.00165 Ohms
配置 Single Dual Source
最大工作溫度 + 150 C
安裝風(fēng)格 SMD/SMT
封裝 / 箱體 PowerPAK SO-8
封裝 Reel