| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格(人民幣) |
|---|---|---|---|---|
| HN7G08FE-A(TE85L,F | Toshiba | 兩極晶體管 - BJT Vceo=-12V Vceo=50V Ic=-400mA IC=100mA | 11988 | 1:￥0.621 10:￥0.483 100:￥0.414 250:￥0.38 |
| HN7G01FU-A(T5L,F,T | Toshiba | 兩極晶體管 - BJT Vceo=-12V Vds=20V Ic=-400mA Id=50mA | 8550 | 1:￥0.621 10:￥0.483 100:￥0.414 250:￥0.38 |
| HN7G05FU(TE85L,F) | Toshiba | 兩極晶體管 - BJT Vceo=-50V Vds=20V Ic=-100ma Id=50mA | 8898 | 1:￥0.621 10:￥0.483 100:￥0.414 250:￥0.38 |
| HN7G02FE(TE85L,F) | Toshiba | 兩極晶體管 - BJT Vceo=-50V Vds20V Ic=-100ma Id=50mA | 11910 | 1:￥0.621 10:￥0.483 100:￥0.414 250:￥0.38 |
| 類別: | RF/IF 和 RFID >> 兩極晶體管 - BJT |
|---|---|
| 描述: | 兩極晶體管 - BJT Vceo=-12V Vceo=50V Ic=-400mA IC=100mA |
| RoHS: | 否 |
| PDF參數(shù): | |
| 制造商 | Toshiba |
| 配置 | Dual |
| 晶體管極性 | PNP |
| 集電極—基極電壓 VCBO | - 15 V |
| 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO | - 12 V |
| 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO | - 5 V |
| 集電極—射極飽和電壓 | |
| 最大直流電集電極電流 | |
| 增益帶寬產(chǎn)品fT | 130 MHz |
| 直流集電極/Base Gain hfe Min | 300 |
| 最大工作溫度 | |
| 安裝風(fēng)格 | Through Hole |
| 封裝 / 箱體 | ES-6 |