兩極晶體管 - BJT PBSS5130PAP,115品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

PBSS5130PAP,115 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格(人民幣)
PBSS5130PAP,115 NXP Semiconductors 兩極晶體管 - BJT 30V 1A PNP/PNP lo VCEsat transistor 可訂貨
PBSS5160PAP,115 NXP Semiconductors 兩極晶體管 - BJT 60V 1A PNP/PNP lo VCEsat transistor 可訂貨
PBSS5130PAP,115 • PDF參數(shù)
類別: RF/IF 和 RFID >> 兩極晶體管 - BJT
描述: 兩極晶體管 - BJT 30V 1A PNP/PNP lo VCEsat transistor
RoHS: 否
PDF參數(shù):
制造商 NXP Semiconductors
配置 Dual
晶體管極性 PNP
集電極—基極電壓 VCBO - 30 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO - 30 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO - 7 V
集電極—射極飽和電壓 - 85 mV
最大直流電集電極電流 - 2 A
增益帶寬產(chǎn)品fT 125 MHz
直流集電極/Base Gain hfe Min 250
最大工作溫度 + 150 C
安裝風(fēng)格 SMD/SMT
封裝 / 箱體 DFN2020-6