MOSFET SI3459DV-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI3459DV-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格(人民幣)
SI3459DV-T1-GE3 Vishay/Siliconix MOSFET 60V 2.2A 2.0W 200mohm @ 10V 可訂貨
SI3459DV-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述: MOSFET 60V 2.2A 2.0W 200mohm @ 10V
RoHS: 否
PDF參數(shù):
制造商 Vishay/Siliconix
晶體管極性 P-Channel
汲極/源極擊穿電壓 60 V
閘/源擊穿電壓 +/- 20 V
漏極連續(xù)電流 2.2 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通） 0.22 Ohms
配置 Single
最大工作溫度 + 150 C
安裝風(fēng)格 SMD/SMT
封裝 / 箱體 TSOP-6
封裝 Reel