MOSFET SI8419DB-T1-E1品牌、價格、PDF參數(shù)

SI8419DB-T1-E1 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格(人民幣)
SI8419DB-T1-E1 Vishay/Siliconix MOSFET 8.0V 11.7A 6.25W 35mohm @ 4.5V 可訂貨
SI8419DB-T1-E1 • PDF參數(shù)
類別: RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述: MOSFET 8.0V 11.7A 6.25W 35mohm @ 4.5V
RoHS: 否
PDF參數(shù):
制造商 Vishay/Siliconix
晶體管極性 P-Channel
汲極/源極擊穿電壓 - 8 V
閘/源擊穿電壓 +/- 5 V
漏極連續(xù)電流 7.8 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通） 0.035 Ohms
配置 Single Dual Drain
最大工作溫度 + 150 C
安裝風格 SMD/SMT
封裝 / 箱體 Micro Foot-4
封裝 Reel