瞬變抑制二極管 直插件

片式二極管【smd diode】 全稱：片式晶體二極管，也稱為：貼片二極管。  片式晶體二極管屬于最基礎(chǔ)的片式半導(dǎo)體器件，其最重要的性質(zhì)就是單向?qū)щ娞匦?。半?dǎo)體是一種特殊性質(zhì)的物質(zhì)，它不像導(dǎo)體一樣可以導(dǎo)電，也不像絕緣體那樣不能導(dǎo)電，而是介于二者之間，所以稱之為半導(dǎo)體，在半導(dǎo)體中有二種最重要的元素就是硅和鍺，晶體二極管根據(jù)所用的半導(dǎo)體材料，可分為鍺二極管（ge管）和硅二極管（si管）。  晶體二極管的實(shí)質(zhì)是一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的“pn結(jié)”，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于“pn結(jié)”兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等，而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用，使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流i0。當(dāng)外加的反向電壓達(dá)到一定程度時(shí)，p-n結(jié)空間電荷層中的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，形成電子空穴對(duì)，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。  片式二極管的種類繁多，目前，主要有以下系列產(chǎn)品得到了廣泛應(yīng)用：

穩(wěn)壓二極管、整流二極管、開關(guān)二極管、發(fā)光二極管、肖特基二極管、快恢復(fù)二極管以及瞬變抑制二極管等