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    ECH-A22405JX

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    • ECH-A22405JX
      ECH-A22405JX

      ECH-A22405JX

    • 北京耐芯威科技有限公司
      北京耐芯威科技有限公司

      聯(lián)系人:劉先生

      電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

      地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

      資質:營業(yè)執(zhí)照

    • 5000

    • Panasonic Electronic Comp

    • 標準封裝

    • 16+

    • -
    • 假一罰十,百分百原裝

    • 1/1頁 40條/頁 共5條 
    • 1
    ECH-A22405JX PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
    • 功能描述
    • 薄膜電容器 ECHA Polyester/ Polypropyle Film Cap
    • RoHS
    • 制造商
    • Cornell Dubilier
    • 產品類型
    • 電介質
    • Polyester
    • 電容
    • 0.047 uF
    • 容差
    • 10 %
    • 電壓額定值
    • 100 V
    • 系列
    • 225P
    • 工作溫度范圍
    • - 55 C to + 85 C
    • 端接類型
    • Radial
    • 引線間隔
    • 9.5 mm
    ECH-A22405JX 技術參數(shù)
    • ECH8655R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):24V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):17 毫歐 @ 4.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):16.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8654-TL-H 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):38 毫歐 @ 3A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):960pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8651R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):24V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8620-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2A,1.5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):260 毫歐 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):650pF @ 20V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8619-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3A,2A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):93 毫歐 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):560pF @ 20V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECHO11/0.1M/IPEX/S/S/12 ECHO11/0.2M/IPEX/S/S/12 ECHO12/X/X/S/S/3 ECHO14/0.1M/UFL/S/S/15 ECHO14/0.2M/UFL/S/S/15 ECHO16/0.04M/UFL/S/S/17 ECHO16/0.15M/UFL/S/S/17 ECHO17/0.1M/IPEX/S/S/15 ECHO18/0.1M/UFL/S/S/15 ECHO19/0.1M/UFL/S/S/17 ECHO1A/0.1M/GSC/S/S/11 ECHO1A/0.1M/IPEX/S/S/11 ECHO1A/0.2M/GSC/S/S/11 ECHO1A/0.2M/IPEX/S/S/11 ECHO2/0.14M/SMAM/S/S/1 ECHO2/0.1M/MMCX/RA/S/S/1 ECHO2/0.1M/MMCXM/S/RA/1 ECHO2/0.1M/UFL/S/S/1
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