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EPC2012C

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • EPC2012C
    EPC2012C

    EPC2012C

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • EPC2012C
    EPC2012C

    EPC2012C

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 40985

  • EPC

  • DIGI-REEL?

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • EPC2012C
    EPC2012C

    EPC2012C

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

  • 474

  • EPC

  • LGA

  • 20+

  • -

  • 瑞智芯只做原裝

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
EPC2012C PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
  • 制造商
  • epc
  • 系列
  • eGaN?
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • GaNFET N 通道，氮化鎵
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 5A（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 100 毫歐 @ 3A，5V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
  • 1.3nC @ 5V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
  • 140pF @ 100V
  • 功率 - 最大值
  • -
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 模具
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 模具剖面（4 焊條）
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
EPC2012C 技術(shù)參數(shù)
  • EPC2012 功能描述:TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 3A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.8nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:145pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C （TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2010CENGR 功能描述:TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 12A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.7nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:380pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具剖面（7 焊條） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2010C 功能描述:TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 12A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.3nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:540pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具剖面（7 焊條） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2010 功能描述:TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 6A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:7.5nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:540pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C （TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2007C 功能描述:TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 6A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.2nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:220pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具剖面（5 焊條） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2019 EPC2019ENG EPC2020 EPC2020ENG EPC2020ENGR EPC2021 EPC2021ENG EPC2021ENGR EPC2022 EPC2022ENGRT EPC2023 EPC2023ENG EPC2023ENGR EPC2024 EPC2024ENG EPC2024ENGR EPC2025 EPC2025ENGR
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