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EPC2110

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • EPC2110
    EPC2110

    EPC2110

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 92500

  • EPC

  • MOSFET 2NCH 120V 3.4

  • 22+

  • -

  • EPC2110
    EPC2110

    EPC2110

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

  • 35747

  • EPC

  • BGA

  • 21+

  • -

  • 瑞智芯只做原裝

  • EPC2110
    EPC2110

    EPC2110

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • EPC

  • 模具

  • 21+

  • -

  • 質(zhì)量保真，價(jià)格實(shí)惠，假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
EPC2110 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE
  • 制造商
  • epc
  • 系列
  • eGaN?
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • 2 N 溝道（雙）共漏
  • FET 功能
  • GaNFET（氮化鎵）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 120V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 3.4A
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 60 毫歐 @ 4A，5V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.5V @ 700μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 0.8nC @ 5V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 80pF @ 60V
  • 功率 - 最大值
  • -
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 150°C（TJ）
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
EPC2110 技術(shù)參數(shù)
  • EPC2108ENGRT 功能描述:TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:3 N 溝道（半橋 + 同步自舉） FET 功能:GaNFET（氮化鎵） 漏源極電壓（Vdss）:60V，100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.7A，500mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 2.5A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 200μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.22nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:22pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2108 功能描述:MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:3 N 溝道（半橋 + 同步自舉） FET 功能:GaNFET（氮化鎵） 漏源電壓（Vdss）:60V，100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.7A，500mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 2.5A, 5V, 3.3 歐姆 @ 2.5A, 5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100μA，2.5V @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:22pF @ 30V, 7pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:9-VFBGA 供應(yīng)商器件封裝:9-BGA (1.35x1.35) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2107ENGRT 功能描述:TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:3 N 溝道（半橋 + 同步自舉） FET 功能:GaNFET（氮化鎵） 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.7A，500mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:320 毫歐 @ 2A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.16nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:16pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2107 功能描述:MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:3 N 溝道（半橋 + 同步自舉） FET 功能:GaNFET（氮化鎵） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.7A，500mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:320 毫歐 @ 2A, 5V, 3.3 歐姆 @ 2A, 5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100μA，2.5V @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:16pF @ 50V, 7pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:9-VFBGA 供應(yīng)商器件封裝:9-BGA (1.35x1.35) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2106ENGRT 功能描述:TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵） 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.7A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 2A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 600μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.73nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:75pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2LI20N EPC2TC32 EPC2TC32N EPC2TI32 EPC2TI32N EPC4QC100 EPC4QC100N EPC4QI100 EPC4QI100N EPC8002 EPC8002ENGR EPC8003ENGR EPC8004 EPC8004ENGR EPC8005ENGR EPC8007ENGR EPC8008ENGR EPC8009
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