參數(shù)資料
型號(hào)： EPC2
廠商： Altera Corporation
英文描述： Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices
中文描述： 配置SRAM器件基于LUT的器件
文件頁數(shù)： 15/36頁
文件大小： 283K
代理商： EPC2
Altera Corporation
15
Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices Data Sheet
Figure 6
shows two APEX II, APEX 20K, Mercury, ACEX 1K, and FLEX
devices configured with two EPC2 or EPC1 devices.
Figure 6. Two ACEX 1K, APEX 20K, APEX II, FLEX 10K, FLEX 6000, or Mercury Devices Configured with Two
EPC2 or EPC1 Configuration Devices
Note (1)
Configuration
Device 1
DCLK
DATA
OE
nCS
nINIT_CONF (5)
Configuration
Device 2
V
CC
V
CC
GND
GND
V
CC
DCLK
DATA0
nSTATUS
CONF_DONE
nCONFIG
GND
nCE
MSEL0
MSEL1
DCLK
DATA0
nSTATUS
CONF_DONE
nCONFIG
nCE
MSEL0
MSEL1
nCEO
(2)
(2)
(2)
LUT-Based PLD (3)
LUT-Based PLD (3)
DCLK
DATA
nCS
OE
nCASC (4)
Configuration
Device 1
DCLK
DATA
OE
nCS
nINIT_CONF (5)
Configuration
Device 2
V
CC
V
CC
GND
GND
V
CCINT
DCLK
DATA0
nSTATUS
CONF_DONE
nCONFIG
GND
nCE
MSEL0
MSEL1
DCLK
DATA0
nSTATUS
CONF_DONE
nCONFIG
nCE
MSEL0
MSEL1
nCEO
(2)
(2)
(2)
(6)
APEX 20KE PLD (7)
APEX 20KE PLD (7)
DCLK
DATA
nCS
OE
nCASC (4)
(8)
APEX II, ACEX 1K, Mercury, APEX 20KC,
APEX 20K, FLEX 10K, & FLEX 6000 Devices
APEX 20KE Devices
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PDF描述
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EPC-20 制造商:Curtis Industries 功能描述:Conn Barrier Strip 20 POS 9.52mm Solder ST Thru-Hole 15A
EPC2001 功能描述:TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:eGaN® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
EPC2001C 功能描述:TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:36A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 25A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:900pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具剖面（11 焊條） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
EPC2007 功能描述:TRANS 100V 30MO BUMPED DIE RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:eGaN® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
EPC2007C 功能描述:TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 6A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.2nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:220pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具剖面（5 焊條） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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