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參數(shù)資料
| 型號： | EPC2 |
| 廠商： | Altera Corporation |
| 英文描述： | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
| 中文描述： | 配置SRAM器件基于LUT的器件 |
| 文件頁數(shù)： | 8/36頁 |
| 文件大小： | 283K |
| 代理商： | EPC2 |
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Altera Corporation
Configuration Devices for SRAM-based LUT Devices Data Sheet
APEX II, APEX 20K, Mercury, ACEX 1K, FLEX 10K & FLEX 6000
Device Configuration
APEX 20K, Mercury, ACEX 1K, and FLEX devices can be configured with
EPC4, EPC8, EPC16, EPC2, EPC1, or EPC1441 devices. FLEX 6000 devices
can be configured with EPC1 or EPC1441 devices. APEX II devices can be
configured with EPC2, EPC4, EPC8, and EPC16 devices. The EPC4, EPC8,
EPC16, EPC2, EPC1, or EPC1441 device stores configuration data in its
EPROM array and serially clocks data out with an internal oscillator. The
OE
,
nCS
, and
DCLK
pins supply the control signals for the address counter
and the output tri-state buffer. The configuration device sends a serial
bitstream of configuration data to its
DATA
pin, which is routed to the
DATA0
or
DATA
input pin on the LUT-based PLD device.
Figure 4
shows
an LUT-based PLD configured with a single EPC2, EPC1, or EPC1441
device.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EPC4 | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
| EPC8 | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
| EPC1 | 433800612 |
| EPC1 | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
| EPC1064 | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EPC-20 | 制造商:Curtis Industries 功能描述:Conn Barrier Strip 20 POS 9.52mm Solder ST Thru-Hole 15A |
| EPC2001 | 功能描述:TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:eGaN® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| EPC2001C | 功能描述:TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:36A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 25A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:900pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具剖面（11 焊條） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| EPC2007 | 功能描述:TRANS 100V 30MO BUMPED DIE RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:eGaN® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| EPC2007C | 功能描述:TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 6A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.2nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:220pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具剖面（5 焊條） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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