參數(shù)資料
型號： ESM412006
廠商： DYNEX SEMICONDUCTOR LTD
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Recovery Diode
中文描述： 334 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： M771, 2 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 58K
代理商： ESM412006
ESM4120
2/8
SURGE RATINGS
Conditions
Max.
Units
4.5
kA
101 x 10
3
A
2
s
I
2
t for fusing
I
2
t
Surge (non-repetitive) forward current
I
FSM
Parameter
Symbol
10ms half sine; with 0% V
RRM,
T
j
= 125
o
C
3.6
kA
64.8 x 10
3
A
2
s
I
2
t for fusing
I
2
t
Surge (non-repetitive) forward current
I
FSM
10ms half sine; with 50% V
RRM,
T
j
= 125
o
C
THERMAL AND MECHANICAL DATA
dc
Conditions
Max.
Units
o
C/W
-
0.133
Anode dc
Clamping force 3.5kN
with mounting compound
Thermal resistance - case to heatsink
R
th(c-h)
0.02
Double side
-
Single side
Thermal resistance - junction to case
R
th(j-c)
Single side cooled
Symbol
Parameter
-
0.04
o
C/W
o
C/W
Cathode dc
-
0.147
o
C/W
Double side cooled
-
0.07
o
C/W
T
stg
Storage temperature range
-55
125
o
C
kN
4.0
3.0
Clamping force
-
T
vj
Virtual junction temperature
On-state (conducting)
-
125
o
C
Min.
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PDF描述
ESM412008 Recovery Diode
ESMH250VSN123MQ35S LARGE CAPACITANCE ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS
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