參數(shù)資料
型號： ESM4120
廠商： Dynex Semiconductor Ltd.
英文描述： Recovery Diode
中文描述： 恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 58K
代理商： ESM4120
ESM4120
3/8
t
rr
100
Symbol
Typ.
Units
Parameter
V
FM
Forward voltage
I
RRM
Peak reverse current
Reverse recovery time
Q
RA1
Recovered charge (50% chord)
I
RM
Reverse recovery current
K
Soft factor
V
TO
Threshold voltage
r
T
Slope resistance
V
FRM
Forward recovery voltage
di/dt = 1000A/
μ
s, T
j
= 125
o
C
-
25
V
At T
vj
= 125
o
C
-
1.0
m
At T
vj
= 125
o
C
-
1.25
V
-
-
-
-
34
A
-
15
μ
C
0.8
-
μ
s
At V
RRM
, T
case
= 125
o
C
-
mA
At 450A peak, T
case
= 25
o
C
-
1.7
V
Conditions
Max.
I
F
= 200A, di
RR
/dt = 50A/
μ
s
T
case
= 125
o
C, V
R
= 100V
DEFINITION OF K FACTOR AND Q
RA1
0.5x I
RR
I
RR
dI
R
/dt
t
1
t
2
τ
Q
RA1
= 0.5x I
RR
(t
1
+ t
2
)
k = t
1
/t
2
CHARACTERISTICS
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PDF描述
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