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FW70A7R50JA

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠(chǎng)商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
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  • 1
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  • 功能描述
  • 線(xiàn)繞電阻器 - 透孔 7.5ohm 7WATT 5% AXIAL
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Bourns
  • 電阻
  • 10 Ohms
  • 容差
  • 5 %
  • 功率額定值
  • 7 W
  • 溫度系數(shù)
  • 200 PPM / C
  • 系列
  • FW
  • 端接類(lèi)型
  • Axial
  • 工作溫度范圍
  • - 55 C to + 155 C
  • 尺寸
  • 9.5 mm Dia. x 26 mm L
  • 封裝
  • Ammo
  • 產(chǎn)品
  • Power Resistors Wirewound High Energy
FW70A7R50JA 技術(shù)參數(shù)
  • FW349-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 45V 5A/4.5A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:45V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A，4.5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:37 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:860pF @ 20V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW342-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A，5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:33 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:850pF @ 10V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW248-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 45V 6A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:45V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1040pF @ 20V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW231A-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 8A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:21nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1530pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW1120G01 功能描述:General Purpose Relay DPDT (2 Form C) Chassis Mount 制造商:te connectivity aerospace, defense and marine 系列:軍用，MIL-R-5757/10，F(xiàn)W，CII 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 繼電器類(lèi)型:通用 線(xiàn)圈類(lèi)型:無(wú)鎖存 線(xiàn)圈電流:- 線(xiàn)圈電壓:26.5VDC 觸頭外形:DPDT（2 C 型） 額定接觸（電流）:2A 開(kāi)關(guān)電壓:28VDC - 標(biāo)稱(chēng) 導(dǎo)通電壓（最大值）:13 VDC 關(guān)閉電壓（最小值）:2.3 VDC 工作時(shí)間:6ms 釋放時(shí)間:6ms 特性:- 安裝類(lèi)型:底座安裝 端子類(lèi)型:焊接鉤 觸頭材料:- 線(xiàn)圈功率:- 線(xiàn)圈電阻:- 工作溫度:-65°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW80200M600SL677 FW80200M733SL678 FW80219M400SL7CL FW80219M600SL7CM FW80321M400SL6R2 FW80321M600SL6R3 FW80960VH100 FW811-TL-E FW812-TL-E FW813-TL-H FW82439HXSU115 FW82439TXSL28T FW82443BXSL2VH FW906-TL-E FW907-TL-E FWA.1B.308.CLA FWA.1B.310.CLA FWA.MH.03C.XLZ
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