參數(shù)資料
型號： FMBL1G200US60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 10MHz DDS Sweep Function Generator; Bandwidth Max:10MHz; Sweep Rate Range:100:1 lin/log; Sweep Time Range:10 mSec to 30 Sec; Frequency Max:10MHz; Frequency Min:0.01Hz RoHS Compliant: NA
中文描述： 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 7PM-BB, 7 PIN
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 699K
代理商： FMBL1G200US60
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FMBL1G200US60 Rev. A
F
1
10
50
1000
10000
100000
Eoff
Eon
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 200A
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
S
Gate Resistance, R
G
[
]
1
10
50
50
100
1000
3000
Tf
Tf
Toff
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 200A
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
S
Gate Resistance, R
G
[
]
30 40
60
80
100
120
140
160
180
200
50
100
1000
Toff
Tf
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 1.8
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
S
Collector Current, I
C
[A]
30 40
60
80
100
120
140
160
180
200
10
100
1000
Ton
Tr
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 1.8
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
S
Collector Current, I
C
[A]
1
10
50
50
100
1000
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 200A
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
Ton
Tr
S
Gate Resistance, R
G
[
]
0.5
1
10
30
0
5000
10000
15000
20000
25000
30000
35000
40000
Cres
Coes
Cies
Common Emitter
V
GE
= 0V, f = 1MHz
T
C
= 25
℃
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
Fig 7. Capacitance Characteristics
Fig 8. Turn-On Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 9. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 10. Switching Loss vs. Gate Resistance
Fig 11. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
Fig 12. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMBL1G300US60 BK Precision Sweep/Function Generators, Waveforms: Sine, Square, Triangle, +/- Pulse, +/- Ramp, Frequency Range: .2 Hz-20 MHz, Resolution: 5 Digits, Tuning Range: 10:1, Impedance: 50 Ohm, Attenuation: -20+/-1 dB
FMBM5401 PNP General Purpose Amplifier
FMBM5551 NPN General Purpose Amplifier
FMBS5401 PNP General Purpose Amplifier
FMBS549 PNP Low Saturation Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMBL1G300US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMBL1G400US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMBL1G50US60 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FMBL1G75US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMBM5401 功能描述:兩極晶體管 - BJT SSOT6 PNP General Purpose Amplifier RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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