參數資料
型號： FMBL1G200US60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 10MHz DDS Sweep Function Generator; Bandwidth Max:10MHz; Sweep Rate Range:100:1 lin/log; Sweep Time Range:10 mSec to 30 Sec; Frequency Max:10MHz; Frequency Min:0.01Hz RoHS Compliant: NA
中文描述： 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 7PM-BB, 7 PIN
文件頁數： 6/9頁
文件大小： 699K
代理商： FMBL1G200US60
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FMBL1G200US60 Rev. A
F
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
1E-3
0.01
0.1
1
T
=25
℃
IGBT :
DIODE :
T
℃
/
Rectangular Pulse Duration [sec]
0
100
200
300
400
500
600
700
1
10
100
1000
Single Nonrepetitive
Pulse T
J
≤
125
℃
V
GE
= 15V
R
G
= 1.8
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
1
10
100
1000
1
10
100
1000
Safe Operating Area
V
GE
= 20V, T
C
= 100
o
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
[V]
0.3
1
10
100
1000
1
10
100
1000
Single Nonrepetitive
Pulse T
= 25
℃
Curves must be derated
linerarly with increase
in temperature
50us
100us
1
DC Operation
I
C
MAX. (Continuous)
I
C
MAX. (Pulsed)
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
0
3
6
9
12
15
200 V
V
CC
= 100 V
300 V
Common Emitter
R
L
= 1.5
T
C
= 25
℃
G
Gate Charge, Qg [ nC ]
30 40
60
80
100
120
140
160
180
200
100
1000
10000
30000
Eoff
Eon
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 1.8
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
S
Collector Current, I
C
[A]
Fig 14. Gate Charge Characteristics
Fig 13. Switching Loss vs. Collector Current
Fig 15. SOA Characteristics
Fig 16. Turn-Off SOA Characteristics
Fig 17. RBSOA Characteristics
Fig 18. Transient Thermal Impedance
相關PDF資料
PDF描述
FMBL1G300US60 BK Precision Sweep/Function Generators, Waveforms: Sine, Square, Triangle, +/- Pulse, +/- Ramp, Frequency Range: .2 Hz-20 MHz, Resolution: 5 Digits, Tuning Range: 10:1, Impedance: 50 Ohm, Attenuation: -20+/-1 dB
FMBM5401 PNP General Purpose Amplifier
FMBM5551 NPN General Purpose Amplifier
FMBS5401 PNP General Purpose Amplifier
FMBS549 PNP Low Saturation Transistor
相關代理商/技術參數
參數描述
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