參數(shù)資料
型號(hào): FMBL1G300US60
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: BK Precision Sweep/Function Generators, Waveforms: Sine, Square, Triangle, +/- Pulse, +/- Ramp, Frequency Range: .2 Hz-20 MHz, Resolution: 5 Digits, Tuning Range: 10:1, Impedance: 50 Ohm, Attenuation: -20+/-1 dB
中文描述: 300 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: 7PM-BB, 7 PIN
文件頁(yè)數(shù): 2/9頁(yè)
文件大?。?/td> 693K
代理商: FMBL1G300US60
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FMBL1G300US60 Rev. A
F
Electrical Characteristics of IGBT
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Off Characteristics
BV
CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
B
VCES
/
T
J
Voltage
I
CES
Collector Cut-Off Current
I
GES
G-E Leakage Current
V
GE
= 0V, I
C
= 250uA
600
--
--
V
Temperature Coeff. of Breakdown
V
GE
= 0V, I
C
= 1mA
--
0.6
--
V/
°
C
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
--
--
--
--
250
±
100
uA
nA
On Characteristics
V
GE(th)
G-E Threshold Voltage
Collector to Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 0V, I
C
= 200mA
5.0
--
8.5
V
V
CE(sat)
I
C
= 300A
,
V
GE
= 15V
--
2.2
2.8
V
Dynamic Characteristics
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
f = 1MHz
--
--
--
14600
2170
500
--
--
--
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
E
on
Turn-On Switching Loss
E
off
Turn-Off Switching Loss
E
ts
Total Switching Loss
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
E
on
Turn-On Switching Loss
E
off
Turn-Off Switching Loss
E
ts
Total Switching Loss
V
CC
= 300 V, I
C
= 300A,
R
G
= 1.5
, V
GE
= 15V
Inductive Load, T
C
= 25
°
C
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
170
110
240
100
4.2
13.3
17.5
290
140
285
165
6.0
16.5
22.5
--
--
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
300
200
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
V
CC
= 300 V, I
C
= 300A,
R
G
= 1.5
, V
GE
= 15V
Inductive Load, T
C
= 125
°
C
T
sc
Short Circuit Withstand Time
V
CC
= 300 V, V
GE
= 15V
@
T
C
= 100
°
C
10
--
--
us
Q
g
Q
ge
Q
gc
Total Gate Charge
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector Charge
V
CE
= 300 V, I
C
= 300A,
V
GE
= 15V
--
--
--
1260
250
565
1400
--
--
nC
nC
nC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMBM5401 PNP General Purpose Amplifier
FMBM5551 NPN General Purpose Amplifier
FMBS5401 PNP General Purpose Amplifier
FMBS549 PNP Low Saturation Transistor
FMBS5551 NPN General Purpose Amplifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FMBL1G75US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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