參數(shù)資料
型號(hào): FMS6G20US60S
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: Compact & Complex Module
中文描述: 20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: 25PM-AA, 25 PIN
文件頁數(shù): 4/10頁
文件大小: 781K
代理商: FMS6G20US60S
4
www.fairchildsemi.com
FMS6G20US60S Rev. B1
F
Electrical Characteristics of DIODE
@ Inverter
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Electrical Characteristics of DIODE
@ Converter
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Thermal Characteristics
Symbol
NTC Thermistor Characteristics
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
V
FM
Diode Forward Voltage
I
F
= 20A
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
--
1.9
2.8
V
--
2.0
--
t
rr
Diode Reverse Recovery Time
I
F
= 20A
di / dt = 40 A/
μ
s
--
75
150
ns
--
110
--
I
rr
Diode Peak Reverse Recovery Current
--
1.3
2.6
A
--
1.8
--
Q
rr
Diode Reverse Recovery Charge
--
50
195
nC
--
100
--
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
V
FM
Diode Forward Voltage
I
F
= 30A
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
--
1.1
1.5
V
--
1.0
--
I
RRM
Repetitive Reverse Current
V
R
= V
RRM
--
--
8
mA
--
5
--
Parameter
Typ.
Max.
Units
Inverter
R
θ
JC
R
θ
JC
R
θ
JC
Junction-to-Case (IGBT Part, per 1/6 Module)
--
1.4
°
C
/
W
°
C
/
W
°
C
/
W
Junction-to-Case (DIODE Part, per 1/6 Module)
--
2.3
Converter
Junction-to-Case (DIODE Part, per 1/6 Module)
--
1.3
Weight
Weight of Module
60
--
g
Parameter
Tol.
Typ.
Units
Thermistor
R25
Rated Resistance @ Tc = 25
°
C
+/- 5 %
4.7
K
B(25/100)
B - Value
+/- 3 %
3530
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