參數(shù)資料
型號： FQB12P20
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 200V P-Channel MOSFET
中文描述： 11.5 A, 200 V, 0.47 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 9/9頁
文件大小： 694K
代理商： FQB12P20
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQI12N50 500V N-Channel MOSFET
FQI12N60 600V N-Channel MOSFET
FQI12P10 100V P-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的P溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQI12P20 200V P-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的P溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQI13N06L 60V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQB12P20_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V P-Channel MOSFET
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FQB13N06 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel MOSFET
FQB13N06L 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V LOGIC N-Channel MOSFET
FQB13N06LTM 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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