參數(shù)資料
型號(hào): FQB17P10
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 100V P-Channel MOSFET
中文描述: 16.5 A, 100 V, 0.19 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝: D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù): 8/9頁(yè)
文件大?。?/td> 614K
代理商: FQB17P10
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A1, January 2001
Package Dimensions
(Continued)
9.90
±
0.20
2.40
±
0.20
4.50
±
0.20
1.27
±
0.10
1.47
±
0.10
(45
°
)
0.80
±
0.10
10.00
±
0.20
2.54 TYP
2.54 TYP
1
±
0
9
±
0
1
±
0
1
±
0
M
M
(
(
(
1.30
+0.10
0.05
0.50
+0.10
0.05
I
2
PAK
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PDF描述
FQB17P06 GIGATRUE 550 CAT6 PATCH 10 FT, SNAGLESS, GRAY
FQB19N20C 200V N-Channel MOSFET
FQI19N20C 200V N-Channel MOSFET
FQB19N20L 200V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FQI19N20L 200V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
FQB17P10TM 功能描述:MOSFET 100V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB19N10 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V N-Channel MOSFET
FQB19N10L 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V LOGIC N-Channel MOSFET
FQB19N10LTM 功能描述:MOSFET 100V N-Ch Log Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB19N10TM 功能描述:MOSFET 100V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube