參數(shù)資料
型號： FQB19N20L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 200V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的邏輯N溝道增強型MOS場效應管)
中文描述： 21 A, 200 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： ROHS COMPLIANT, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 5/9頁
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代理商： FQB19N20L
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQI19N20L 200V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的邏輯N溝道增強型MOS場效應管)
FQB19N20 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強型MOS場效應管)
FQI19N20 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強型MOS場效應管)
FQB1P50 500V P-Channel MOSFET(漏源電壓為500V的P溝道增強型MOS場效應管)
FQB22P10 100V P-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQB19N20LTM 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB19N20TM 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB1N60 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET
FQB1N60TM 功能描述:MOSFET 600V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB1P50 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V P-Channel MOSFET
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