參數(shù)資料
型號: FQB1P50
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 500V P-Channel MOSFET(漏源電壓為500V的P溝道增強型MOS場效應(yīng)管)
中文描述: 1.5 A, 500 V, 10.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝: ROHS COMPLIANT, D2PAK-3
文件頁數(shù): 8/9頁
文件大?。?/td> 631K
代理商: FQB1P50
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, June 2000
Package Dimensions
(Continued)
9.90
±
0.20
2.40
±
0.20
4.50
±
0.20
1.27
±
0.10
1.47
±
0.10
(45
°
)
0.80
±
0.10
10.00
±
0.20
2.54 TYP
2.54 TYP
1
±
0
9
±
0
1
±
0
1
±
0
M
M
(
(
(
1.30
+0.10
0.05
0.50
+0.10
0.05
I
2
PAK
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參數(shù)描述
FQB1P50TM 功能描述:MOSFET 500V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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FQB20N06TM 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube