參數(shù)資料
型號： FQB27N25
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V的N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 25.5 A, 250 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大小： 784K
代理商： FQB27N25
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQI27N25 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V的N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)
FQB27P06 Inductor; Inductor Type:Standard; Inductance:146uH; Series:CMS; DC Resistance Max:0.017ohm; Package/Case:PCB Surface Mount; Core Material:Ferrite; Current, It rms:3.4A; Leaded Process Compatible:Yes; Leakage Inductance:1.3uH RoHS Compliant: Yes
FQI27P06 Inductor; Inductor Type:Standard; Inductance:350uH; Series:CMS; DC Resistance Max:0.04ohm; Package/Case:PCB Surface Mount; Core Material:Ferrite; Current, It rms:2A; Leaded Process Compatible:Yes; Leakage Inductance:3uH RoHS Compliant: Yes
FQB33N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET
FQI33N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQB27N25TM 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB27N25TM_AM002 功能描述:MOSFET 250V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB27P06 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel MOSFET
FQB27P06TM 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB27P06TM 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P-CH/60V/27A/0.07OHM :ROHS COMPLIANT
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