參數(shù)資料
型號(hào)： FQB3N90
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 900V N-Channel MOSFET(漏源電壓為900V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
中文描述： 3.6 A, 900 V, 4.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263
封裝： D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 8/9頁(yè)
文件大?。?/td> 697K
代理商： FQB3N90
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, September 2000
Package Dimensions
(Continued)
9.90
±
0.20
2.40
±
0.20
4.50
±
0.20
1.27
±
0.10
1.47
±
0.10
(45
°
)
0.80
±
0.10
10.00
±
0.20
2.54 TYP
2.54 TYP
1
±
0
9
±
0
1
±
0
1
±
0
M
M
(
(
(
1.30
+0.10
–
0.05
0.50
+0.10
–
0.05
I
2
PAK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQI3N90 900V N-Channel MOSFET(漏源電壓為900V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQB3P20 200V P-Channel MOSFET
FQI3P20 200V P-Channel MOSFET
FQB3P50 500V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-500V的P溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQI3P50 500V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-500V的P溝道增強(qiáng)型MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQB3N90TM 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB3P20 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V P-Channel MOSFET
FQB3P20TM 功能描述:MOSFET 200V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB3P50 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V P-Channel MOSFET
FQB3P50TM 功能描述:MOSFET 500V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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