參數(shù)資料
型號： FQB46N15
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 150V N-Channel MOSFET(漏源電壓為150V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
中文描述： 45.6 A, 150 V, 0.042 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 9/9頁
文件大?。?/td> 769K
代理商： FQB46N15
@#
"8!@
/
H
!"#$
%&
%'
%(
)"#
")*#
+
,
)6-F61>6I-->>-,>F>-6=F)J>F)=>B6FII-F>-6>)K
<-IF>->66<-,>->16)D616KI6->6= )6-F61>)I>)K
16)D616K)-66=IF>)<<16)6-I>)K<-I-6-I6>-6D>F>->6L
>6F>->6,>K)K16>>I>-6<)>-6=F-F>-6=FF>-
)6-F61 <-I )-> )IF-6E> - I> ) -66)1 <> 6 16> I<<-
>,6> - K> B6FI F> >M<-> B-6> )<<-,)1 )6-F61 >6I-
6>-)6)1
)N
* 1!!
24 "
2"44
! " ""8
9
/ )
!
"8
!!
"
#"$%
"&%&
$
)!6
!6
!
<
<
""
!@
!
6
<
!@
!
"
6<
""
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQI46N15 150V N-Channel MOSFET(漏源電壓為150V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQB47P06 60V P-Channel MOSFET
FQI47P06 60V P-Channel MOSFET
FQB4N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQB4N20 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQB46N15TM 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB46N15TM_AM002 功能描述:MOSFET 150V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB47P06 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel MOSFET
FQB47P06TM 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB47P06TM"AM002 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*