參數(shù)資料
型號： FQB4N25
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V的N溝道增強型MOSFET)
中文描述： 3.6 A, 250 V, 1.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 9/9頁
文件大?。?/td> 729K
代理商： FQB4N25
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQI4N25 250V N-Channel MOSFET
FQB4N50 500V N-Channel MOSFET(漏源電壓為500V的N溝道增強型MOSFET)
FQI4N50 500V N-Channel MOSFET
FQB4N60 600V N-Channel MOSFET(漏源電壓為600V的N溝道增強型MOSFET)
FQI4N60 600V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQB4N25TM 功能描述:MOSFET N-CH/250V/3.6A/1.75OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB4N50 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
FQB4N50TM 功能描述:MOSFET N-CH/500V/3.4A/2.7OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB4N60 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET
FQB4N60TM 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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