參數(shù)資料
型號： FQB50N06L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 60V LOGIC N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的邏輯N溝道增強型MOSFET)
中文描述： 52.4 A, 60 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： ROHS COMPLIANT, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 588K
代理商： FQB50N06L
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, April 2000
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 30V
V
DS
= 48V
Note : I
D
= 52.4A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
1000
2000
3000
4000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Notes :
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.2
0.4
0.6
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
10
0
10
1
10
2
175
Notes :
1. V
= 0V
2. 250 s Pulse Test
25
I
D
,
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0
10
20
30
40
50
60
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
Note : T
J
= 25
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
0
2
4
6
8
10
10
0
10
1
10
2
175
25
-55
Notes :
1. V
= 25V
2. 250 s Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
10
2
GS
V
8.0 V
6.0 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
Bottom : 3.0 V
Notes :
1. 250 s Pulse Test
2. T
C
= 25
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關PDF資料
PDF描述
FQB50N06 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FQB55N06 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FQI55N06 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FQB58N08 80V N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V的N溝道增強型MOSFET)
FQI58N08 80V N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V的N溝道增強型MOSFET)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FQB50N06LTM 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB50N06TM 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB55N06 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel MOSFET
FQB55N06TM 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB55N10 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D2-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N, D2-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:55A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):26mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:155W ;RoHS Compliant: Yes
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*