參數(shù)資料
型號： FQB5N20L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 200V LOGIC N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的邏輯N溝道增強型MOSFET)
中文描述： 4.5 A, 200 V, 1.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 579K
代理商： FQB5N20L
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, May 2000
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
※
N o te s :
1 . Z
θ
(t) = 2 .4
℃
/W M a x.
2 . D u ty F a c to r, D = t
1
/t
2
3 . T
J M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J C
(t)
sin g le p u lse
D = 0 .5
0 .0 2
0 .0 1
0 .2
0 .0 5
0 .1
Z
θ
(
t
1
, S q u a re W a ve P u ls e D u ra tio n [s e c]
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
℃
]
10
0
10
1
10
2
10
-1
10
0
10
1
DC
10 ms
1 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
※
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
J
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
※
Notes :
1. V
= 10 V
2. I
D
= 2.25 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
※
Notes :
1. V
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
t
1
P
DM
t
2
相關PDF資料
PDF描述
FQB5N30 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V的N溝道增強型MOSFET)
FQI5N30 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V的N溝道增強型MOSFET)
FQB5N40 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強型MOSFET)
FQI5N40 400V N-Channel MOSFET
FQB5N50C 500V N-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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FQB5N20TM 功能描述:MOSFET N-CH/200V/4.5A/1.2OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB5N30 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET
FQB5N30TM 功能描述:MOSFET 300V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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