型號(hào): | FQB7P20 |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 200V P-Channel MOSFET |
中文描述: | 7.3 A, 200 V, 0.69 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263 |
封裝: | D2PAK-3 |
文件頁(yè)數(shù): | 6/9頁(yè) |
文件大小: | 713K |
代理商: | FQB7P20 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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FQI7P20 | 200V P-Channel MOSFET |
FQB85N06 | 60V N-Channel MOSFET |
FQB8N25 | 250V N-Channel MOSFET |
FQI8N25 | 250V N-Channel MOSFET |
FQB8N60C | 600V N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FQB7P20TM | 功能描述:MOSFET 200V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQB7P20TM_F085 | 功能描述:MOSFET 200V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQB85N06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel MOSFET |
FQB85N06TM | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
FQB85N06TM_AM002 | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |