參數(shù)資料
型號: FQB9N25C
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 250V N-Channel MOSFET
中文描述: 8.8 A, 250 V, 0.43 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: D2PAK-3
文件頁數(shù): 7/9頁
文件大?。?/td> 869K
代理商: FQB9N25C
Rev. A, March 2004
F
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Package Dimensions
10.00
±
0.20
10.00
±
0.20
(8.00)
(4.40)
1.27
±
0.10
0.80
±
0.10
0.80
±
0.10
(2XR0.45)
9.90
±
0.20
4.50
±
0.20
0.10
±
0.15
2.40
±
0.20
2
±
0
1
±
0
9
±
0
4
±
0
1
±
0
2
±
0
(
(
(
0
°
~3
°
0.50
+0.10
1
±
0
9
±
0
1
±
0
4
±
0
(
2.54 TYP
2.54 TYP
1.30
+0.10
–0.05
–0.05
D
2
-PAK
Dimensions in Millimeters
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQI9N25C 250V N-Channel MOSFET
FQB9N25 250V N-Channel MOSFET
FQI9N25 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V的N溝道增強型MOSFET)
FQB9P25 250V P-Channel MOSFET
FQBI9N50 500v N CHANNEL MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQB9N25CTM 功能描述:MOSFET NCH/250V/9A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB9N25TM 功能描述:MOSFET 250V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB9N30 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET
FQB9N50 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
FQB9N50C 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET