型號(hào): | FQD10N20 |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | CAP 3900PF 50V 1% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22 |
中文描述: | 7.6 A, 200 V, 0.36 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
封裝: | DPAK-3 |
文件頁(yè)數(shù): | 2/9頁(yè) |
文件大?。?/td> | 787K |
代理商: | FQD10N20 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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FQU10N20 | CAP 6800PF 50V 1% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22 |
FQD10N20L | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
FQD11P06 | 60V P-Channel MOSFET |
FQU11P06 | 60V P-Channel MOSFET |
FQD12N20L | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FQD10N20C | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
FQD10N20C_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
FQD10N20CTF | 功能描述:MOSFET N-CH/200V/10A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQD10N20CTM | 功能描述:MOSFET N-CH/200V/10A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQD10N20CTM_F080 | 功能描述:MOSFET Trans MOS N-Ch 200V 7.8A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |