參數資料
型號: FQD12N20L
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 200V LOGIC N-Channel MOSFET
中文描述: 9 A, 200 V, 0.32 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝: ROHS COMPLIANT, DPAK-3
文件頁數: 7/9頁
文件大?。?/td> 606K
代理商: FQD12N20L
Rev. A1, February 2001
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Package Dimensions
6.60
±
0.20
2.30
±
0.10
0.50
±
0.10
5.34
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0.30
0
±
0
0
±
0
0
±
0
9
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0
6
±
0
2
±
0
9
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0
6
±
0
2
±
0
M
0.76
±
0.10
0.50
±
0.10
1.02
±
0.20
2.30
±
0.20
6.60
±
0.20
(5.34)
(5.04)
0.76
±
0.10
(1.50)
(2XR0.25)
0
±
0
(
(
(
(
(
0
±
0
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
MAX0.96
(4.34)
(0.50)
(0.50)
DPAK
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PDF描述
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