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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FQD17P06 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 60V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-60V、漏電流為-12A的P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 12 A, 60 V, 0.135 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 662K |
| 代理商： | FQD17P06 |
F
Rev. A, September 2000
2000 Fairchild Semiconductor International
0
10
20
-I
D
, Drain Current [A]
30
40
50
60
0.00
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0.24
0.28
0.32
0.36
0.40
※
Note : T
J
= 25
℃
V
GS
= - 20V
V
GS
= - 10V
R
D
]
D
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
V
GS
Top : - 15.0 V
- 10.0 V
- 8.0 V
- 7.0 V
- 6.0 V
- 5.5 V
- 5.0 V
Bottom : - 4.5 V
※
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
-
D
,
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
4
8
12
16
20
24
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= -30V
V
DS
= -48V
※
Note : I
D
= -17 A
-
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
10
-1
10
0
10
1
150
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
℃
-
D
-V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
150
℃
25
℃
-55
℃
※
Notes :
1. V
DS
= -30V
2. 250
μ
s Pulse Test
-
D
-V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQU17P06 | 60V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-60V、漏電流為-12A的P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| FQD18N20V2 | 200V N-Channel MOSFET |
| FQU18N20V2 | 200V N-Channel MOSFET |
| FQD19N10L | GIGATRUE CAT6 UNIVERSAL JACK, WHITE |
| FQU19N10L | 100V LOGIC N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQD17P06 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P D-PAK |
| FQD17P06_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel MOSFET |
| FQD17P06_13 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel QFET MOSFET |
| FQD17P06TF | 功能描述:MOSFET -60V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD17P06TF | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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