型號: | FQD18N20V2 |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 200V N-Channel MOSFET |
中文描述: | 15 A, 200 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
封裝: | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
文件頁數(shù): | 8/9頁 |
文件大?。?/td> | 615K |
代理商: | FQD18N20V2 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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FQU18N20V2 | 200V N-Channel MOSFET |
FQD19N10L | GIGATRUE CAT6 UNIVERSAL JACK, WHITE |
FQU19N10L | 100V LOGIC N-Channel MOSFET |
FQD19N10 | 100V N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V、漏電流為5.6A的N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FQD18N20V2_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
FQD18N20V2_13 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel QFET MOSFET |
FQD18N20V2TF | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch adv QFET V2 Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQD18N20V2TM | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch adv QFET V2 Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQD19N10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V N-Channel MOSFET |