參數(shù)資料
型號(hào)： FQI12N50
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 500V N-Channel MOSFET
中文描述： 12.1 A, 500 V, 0.49 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： I2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 617K
代理商： FQI12N50
Rev. A, May 2002
F
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
10
-1
10
0
10
1
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.2
0.4
0.6
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
10
-1
10
0
10
1
25
℃
150
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
0
2
4
6
8
10
12
10
-1
10
0
10
1
※
Notes :
1. V
DS
= 50V
2. 250
μ
s Pulse Test
-55
℃
150
℃
25
℃
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
0
10
1
10
0
10
1
※
Notes :
μ
s Pulse Test
1. 250
C
= 25
℃
GS
V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
I
D
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
10
20
30
40
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
※
Note : T
J
= 25
℃
R
D
Ω
D
I
D
, Drain Current [A]
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 250V
V
DS
= 400V
V
DS
= 100V
※
Note : I
D
= 12.1 A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQI12N60 600V N-Channel MOSFET
FQI12P10 100V P-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的P溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQI12P20 200V P-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的P溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQI13N06L 60V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQI13N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQI12N50TU 功能描述:MOSFET N-CH 500V 12.1A I2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:QFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
FQI12N60 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET
FQI12N60C 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET
FQI12N60CTU 功能描述:MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI12N60TU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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