參數(shù)資料
型號(hào)： FQI17N08
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 80V N-Channel MOSFET
中文描述： 16.5 A, 80 V, 0.115 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262
封裝： I2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 676K
代理商： FQI17N08
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. B, August 2002
0
20
40
60
80
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
※
Note : T
J
= 25
℃
V
GS
= - 20V
V
GS
= - 10V
R
D
]
D
-I
D
, Drain Current [A]
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
V
GS
Top : -15.0 V
-10.0 V
-8.0 V
-7.0 V
-6.5 V
-5.5 V
-5.0 V
Bottom : -4.5 V
※
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
-
D
,
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
10
-1
10
0
10
1
175
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
℃
-
D
-V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
0
5
10
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
15
20
25
30
35
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= -50V
V
DS
= -80V
V
DS
= -20V
※
Note : I
D
= -16.5 A
-
G
,
10
-1
10
0
10
1
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
175
℃
25
℃
-55
℃
※
Notes :
1. V
DS
= -40V
2. 250
μ
s Pulse Test
-
D
-V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQI17P06 GIGATRUE 550 CAT6 PATCH 30 FT, SNAGLESS, GRAY
FQI19N10L 100V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FQB19N10L 100V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FQI19N10 100V N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
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