參數(shù)資料
型號(hào)： FQI19N20C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 200V N-Channel MOSFET
中文描述： 19 A, 200 V, 0.17 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： I2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 7/9頁(yè)
文件大?。?/td> 876K
代理商： FQI19N20C
Rev. A, March 2004
F
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Package Dimensions
10.00
±
0.20
10.00
±
0.20
(8.00)
(4.40)
1.27
±
0.10
0.80
±
0.10
0.80
±
0.10
(2XR0.45)
9.90
±
0.20
4.50
±
0.20
0.10
±
0.15
2.40
±
0.20
2
±
0
1
±
0
9
±
0
4
±
0
1
±
0
2
±
0
(
(
(
0
°
~3
°
0.50
+0.10
1
±
0
9
±
0
1
±
0
4
±
0
(
2.54 TYP
2.54 TYP
1.30
+0.10
–0.05
–0.05
D
2
-PAK
Dimensions in Millimeters
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PDF描述
FQB19N20L 200V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FQI19N20L 200V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FQB19N20 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FQI19N20 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FQB1P50 500V P-Channel MOSFET(漏源電壓為500V的P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
FQI19N20CTU 功能描述:MOSFET N-CH/200V/19A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI19N20L 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N_Channel MOSFET
FQI19N20LTU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI19N20TU 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI1N60 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET
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