參數(shù)資料
型號(hào)： FQI26N03L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 30V LOGIC N-Channel MOSFET(漏源電壓為30V的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
中文描述： 26 A, 30 V, 0.048 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： I2PAK-3
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大?。?/td> 798K
代理商： FQI26N03L
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQB27N25 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FQI27N25 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FQB27P06 Inductor; Inductor Type:Standard; Inductance:146uH; Series:CMS; DC Resistance Max:0.017ohm; Package/Case:PCB Surface Mount; Core Material:Ferrite; Current, It rms:3.4A; Leaded Process Compatible:Yes; Leakage Inductance:1.3uH RoHS Compliant: Yes
FQI27P06 Inductor; Inductor Type:Standard; Inductance:350uH; Series:CMS; DC Resistance Max:0.04ohm; Package/Case:PCB Surface Mount; Core Material:Ferrite; Current, It rms:2A; Leaded Process Compatible:Yes; Leakage Inductance:3uH RoHS Compliant: Yes
FQB33N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQI26N03LTU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI27N25 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET
FQI27N25TU 功能描述:MOSFET 250V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI27N25TU_F085 功能描述:MOSFET 250V 0.11OHM 25.5A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI27P06 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel MOSFET
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