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參數(shù)資料
| 型號： | FQI34N20L |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | LED 5MM QUAD SUP CLR GREEN PCMNT |
| 中文描述： | 31 A, 200 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, I2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 661K |
| 代理商： | FQI34N20L |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, June 2000
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
10
-1
10
0
10
1
10
2
150
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
℃
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
0
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
※
Notes :
1. V
DS
= 30V
2. 250
μ
s Pulse Test
-55
℃
150
℃
25
℃
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
10
2
V
GS
Top : 10.0 V
8.0 V
6.0 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
Bottom : 3.0 V
※
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
20
40
60
80
100
120
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 100V
V
DS
= 40V
V
DS
= 160V
※
Note : I
D
= 34 A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
700
1400
2100
2800
3500
4200
4900
5600
6300
7000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
30
60
90
120
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
※
Note : T
J
= 25
℃
R
D
Ω
]
D
I
D
, Drain Current [A]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQB34N20 | 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強型MOSFET) |
| FQB34P10 | 100V P-Channel MOSFET |
| FQI34P10 | 100V P-Channel MOSFET |
| FQI34N20 | 200V N-Channel MOSFET |
| FQB3N25 | 250V N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQI34N20TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI34P10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V P-Channel MOSFET |
| FQI34P10TU | 功能描述:MOSFET NCH/200V 32A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI3N25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
| FQI3N25TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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