參數(shù)資料
型號(hào): FQI34P10
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 100V P-Channel MOSFET
中文描述: 33.5 A, 100 V, 0.06 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: I2PAK-3
文件頁(yè)數(shù): 5/9頁(yè)
文件大小: 717K
代理商: FQI34P10
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. B, June 2004
Charge
V
GS
-10V
Q
g
Q
gs
Q
gd
-3mA
V
GS
DUT
V
DS
300nF
50K
Ω
200nF
12V
as DUT
Same Type
V
DS
V
GS
10%
90%
t
d(on)
t
r
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
V
DD
-10V
V
DS
R
L
DUT
R
G
V
GS
E
AS
=
LI
AS2
-1
2
BV
DSS
- V
DD
BV
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
p
V
DD
I
AS
V
DS
(t)
I
D
(t)
Time
-10V
DUT
R
G
L
I
D
t
p
-1
----
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Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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FQI3N25 250V N-Channel MOSFET
FQB3N30 300V N-Channel MOSFET
FQI3N30 300V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQI34P10TU 功能描述:MOSFET NCH/200V 32A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI3N25 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET
FQI3N25TU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI3N30 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET
FQI3N30TU 功能描述:MOSFET 300V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube