參數(shù)資料
型號: FQI3N25
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 250V N-Channel MOSFET
中文描述: 2.8 A, 250 V, 2.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
封裝: I2PAK-3
文件頁數(shù): 8/9頁
文件大小: 621K
代理商: FQI3N25
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, November 2000
Package Dimensions
(Continued)
9.90
±
0.20
2.40
±
0.20
4.50
±
0.20
1.27
±
0.10
1.47
±
0.10
(45
°
)
0.80
±
0.10
10.00
±
0.20
2.54 TYP
2.54 TYP
1
±
0
9
±
0
1
±
0
1
±
0
M
M
(
(
(
1.30
+0.10
0.05
0.50
+0.10
0.05
I
2
PAK
相關PDF資料
PDF描述
FQB3N30 300V N-Channel MOSFET
FQI3N30 300V N-Channel MOSFET
FQB3N40 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強型MOSFET)
FQI3N40 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強型MOSFET)
FQB3N60 600V N-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FQI3N25TU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI3N30 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET
FQI3N30TU 功能描述:MOSFET 300V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI3N40 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET
FQI3N40TU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube