參數(shù)資料
型號： FQI3N40
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強型MOSFET)
中文描述： 2.5 A, 400 V, 3.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262
封裝： I2PAK-3
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大小： 733K
代理商： FQI3N40
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQB3N60 600V N-Channel MOSFET
FQI3N60 600V N-Channel MOSFET
FQB3N80 800V N-Channel MOSFET
FQI3N80 800V N-Channel MOSFET
FQB3N90 900V N-Channel MOSFET(漏源電壓為900V的N溝道增強型MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQI3N40TU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI3N60 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET
FQI3N80 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET
FQI3N80TU 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI3N90 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET
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