參數資料
型號： FQI3N80
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 800V N-Channel MOSFET
中文描述： 3 A, 800 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262
封裝： I2PAK-3
文件頁數： 6/9頁
文件大?。?/td> 661K
代理商： FQI3N80
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, September 2000
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關PDF資料
PDF描述
FQB3N90 900V N-Channel MOSFET(漏源電壓為900V的N溝道增強型MOSFET)
FQI3N90 900V N-Channel MOSFET(漏源電壓為900V的N溝道增強型MOSFET)
FQB3P20 200V P-Channel MOSFET
FQI3P20 200V P-Channel MOSFET
FQB3P50 500V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-500V的P溝道增強型MOSFET)
相關代理商/技術參數
參數描述
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FQI3N90 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET
FQI3N90TU 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI3P20 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V P-Channel MOSFET
FQI3P20TU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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