參數(shù)資料
型號(hào)： FQI6N60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 600V N-Channel MOSFET(漏源電壓為600V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
中文描述： 6.2 A, 600 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
封裝： ROHS COMPLIANT, I2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 547K
代理商： FQI6N60
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, April 2000
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
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PDF描述
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參數(shù)描述
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