參數(shù)資料
型號(hào)： FQI7N10
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： V5 Series Miniature Basic Switch, Single Pole Normally Open Circuitry, 10 A at 250 Vac, Pin Plunger Actuator, 1,00 N [3.53 oz] Maximum Operating Force, Gold Contacts, Quick Connect Termination Silver/Silver Cadmium Oxide Contacts, Quick Connect Terminatio
中文描述： 7.3 A, 100 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262
封裝： I2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大小： 548K
代理商： FQI7N10
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A2, December 2000
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQB7N20 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQI7N20 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQB7N30 300V N0Channel MOSFET
FQI7N30 300V N0Channel MOSFET
FQB7N40 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FQI7N10LTU 功能描述:MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI7N10TU 功能描述:MOSFET N-CH/100V/7.3A/0.35OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI7N20 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET
FQI7N20L 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET
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