參數(shù)資料
型號： FQI9N25C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 250V N-Channel MOSFET
中文描述： 8.8 A, 250 V, 0.43 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： I2PAK-3
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 869K
代理商： FQI9N25C
Rev. A, March 2004
F
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
10
0
10
1
10
2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10 ms
100
μ
s
DC
1 ms
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
Notes :
※
1. T
C
= 25
2. T
J
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
10
-5
10
-4
1 0
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
N otes :
1. Z
θ
JC
(t) = 1.69
2. D uty F actor, D = t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
JC
(t)
※
/W M ax.
℃
single pulse
D =0.5
0.02
0.01
0.2
0.05
0.1
Z
θ
J
(
t
1
, S q ua re W ave P ulse D uration [se c]
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
I
D
,
T
C
, Case Temperature [ ]
℃
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
Notes :
※
1. V
= 10 V
2. I
D
= 4.4 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
Notes :
※
1. V
= 0 V
2. I
D
= 250 μA
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
t
1
P
DM
t
2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQB9N25 250V N-Channel MOSFET
FQI9N25 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V的N溝道增強型MOSFET)
FQB9P25 250V P-Channel MOSFET
FQBI9N50 500v N CHANNEL MOSFET
FQI9N50 64 Megabit, 3.0 Volt-Only Page Mode Flash Memory
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參數(shù)描述
FQI9N25CTU 功能描述:MOSFET 250V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI9N30 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-262AA
FQI9N50 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500v N CHANNEL MOSFET
FQI9N50C 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
FQI9N50CTU 功能描述:MOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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