參數(shù)資料
型號(hào)： FQI9N25C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 250V N-Channel MOSFET
中文描述： 8.8 A, 250 V, 0.43 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： I2PAK-3
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 869K
代理商： FQI9N25C
Rev. A, March 2004
F
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FQI9N30 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-262AA
FQI9N50 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500v N CHANNEL MOSFET
FQI9N50C 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
FQI9N50CTU 功能描述:MOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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