參數(shù)資料
型號： FQP19N20
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 200V N-Channel MOSFET
中文描述： 19.4 A, 200 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 591K
代理商： FQP19N20
F
Rev. A, August 2000
2000 Fairchild Semiconductor International
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 50V
V
DS
= 80V
※
Note : I
D
= 19A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
300
600
900
1200
1500
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
10
-1
10
0
10
1
25
℃
175
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
0
20
40
60
80
0.00
0.06
0.12
0.18
0.24
0.30
※
Note : T
J
= 25
℃
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
※
Notes :
1. V
DS
= 40V
2. 250
μ
s Pulse Test
-55
℃
175
℃
25
℃
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
V
GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
※
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
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PDF描述
FQP19N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQP1N50 500V N-Channel MOSFET
FQP1N60 QFET N-CHANNEL
FQP1P50 500V P-Channel MOSFET
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參數(shù)描述
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