參數(shù)資料
型號： FQP20N06
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 60V N-Channel MOSFET
中文描述： 20 A, 60 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 655K
代理商： FQP20N06
F
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1. May 2001
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
※
N otes :
1. Z
θ
2. D uty F actor, D =t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t) = 2.85
℃
/W M ax.
JC
(t)
single pulse
D =0.5
0.02
0.01
0.2
0.05
0.1
Z
θ
J
(
t
1
, S q ua re W ave P ulse D ura tio n [sec]
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
℃
]
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
DC
10 ms
1 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
※
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
J
= 175
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
※
Notes :
1. V
= 10 V
2. I
D
= 10 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
※
Notes :
1. V
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
v.s Case Temperature
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
t
1
P
DM
t
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQP22N30 300V N-Channel MOSFET
FQP22P10 100V P-Channel MOSFET
FQP24N08 80V N-Channel MOSFET
FQP27P06 Inductor; Inductor Type:Standard; Inductance:217uH; Series:CMS; DC Resistance Max:0.02ohm; Package/Case:PCB Surface Mount; Core Material:Ferrite; Current, It rms:2.85A; Leaded Process Compatible:Yes; Leakage Inductance:1.9uH RoHS Compliant: Yes
FQP27N25 250V N-Channel MOSFET
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參數(shù)描述
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FQP20N06L 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP20N06TSTU 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP22N30 功能描述:MOSFET 300V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP22N30 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistor
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